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簡(jiǎn)述信息一覽：
功率元件MOSFET市場(chǎng)為何供需失衡?
1、MOSFET具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、所需驅(qū)動(dòng)功率低、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率高、無(wú)二次擊穿問(wèn)題等優(yōu)點(diǎn)。該功率二極管結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠。
2、從電壓結(jié)構(gòu)上看，由于小于200V的低壓MOSFET主要用在主機(jī)板、筆記型計(jì)算機(jī)以及大量可攜式產(chǎn)品中，使用范圍最為廣泛，市場(chǎng)需求量最大，這其中小于50V的MOSFET市場(chǎng)需求量位于各電壓等級(jí)之首，2008年市場(chǎng)需求量為14億顆。
3、年，包括MOSFET在內(nèi)的功率器件漲價(jià)嚴(yán)重，電容甚至漲幅十幾倍，供不應(yīng)求的產(chǎn)能促使很多中小型企業(yè)難以取得貨源。“漲價(jià)”過(guò)后，整個(gè)功率器件市場(chǎng)重新洗牌，很多以MOSFET為元器件的小廠商逐一倒閉。
4、功率mosfet區(qū)別于普通mosfet單元的先進(jìn)的設(shè)計(jì)，是能夠承受更高電壓和電流，并以非常高的效率進(jìn)行功率控制的晶體管。
5、主要是檢測(cè)電路的關(guān)系吧，靠檢測(cè)電流來(lái)控制占空比的IC電流越大對(duì)應(yīng)的檢測(cè)電壓越高，但是精度越低，一般IC會(huì)內(nèi)置一個(gè)檢測(cè)電壓，超過(guò)就會(huì)受到限制。理論上，小小的驅(qū)動(dòng)和外置輸出電流沒(méi)多大關(guān)系。
6、mosfet是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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